Salta al contenuto
Welcome to University of UNSW, Bengaluru
Home
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Māori
Sign In
Tutti i Campi
Titolo
Autore
Soggetto
Collocazione
ISBN/ISSN
Tag
Cerca
Avanzata
Canali
Certca su più sezioni:
Soggetto: CMOS circuit
Aggiungi altre selezioni tipo questa
Attiva/disattiva l’elenco canali aggiuntivo per Soggetto: CMOS circuit
Soggetto: DC and AC characteristic fluctuations
Soggetto: III-V
Soggetto: Integration
Soggetto: Kubo–Greenwood formalism
Soggetto: MOSFETs
Soggetto: Monte Carlo
Soggetto: Padé approximants
Soggetto: Richardson extrapolation
Soggetto: Schrödinger based quantum corrections
Soggetto: TASE
Soggetto: ZnO
Soggetto: aspect ratio of channel cross-section
Soggetto: charge transport
Soggetto: conduction mechanism
Soggetto: constriction
Soggetto: device simulation
Soggetto: dimensionality reduction
Soggetto: electron–phonon interaction
Soggetto: fabrication
Soggetto: field effect transistor
Soggetto: gate-all-around
Soggetto: geometric correlations
Soggetto: heat equation
Soggetto: hot electrons
Soggetto: lowest order approximation
Soggetto: material properties
Soggetto: metal gate
Opzioni canale
Mostra copie come risultati di ricerca
Esplora selezioni correlate
Anteprima rapida
Nanowire Field-Effect Transistor (FET)
Carica altri elementi
Soggetto: Coulomb interaction
Aggiungi altre selezioni tipo questa
Attiva/disattiva l’elenco canali aggiuntivo per Soggetto: Coulomb interaction
Soggetto: DC and AC characteristic fluctuations
Soggetto: III-V
Soggetto: Integration
Soggetto: Kubo–Greenwood formalism
Soggetto: MOSFETs
Soggetto: Monte Carlo
Soggetto: Padé approximants
Soggetto: Richardson extrapolation
Soggetto: Schrödinger based quantum corrections
Soggetto: TASE
Soggetto: ZnO
Soggetto: aspect ratio of channel cross-section
Soggetto: charge transport
Soggetto: conduction mechanism
Soggetto: constriction
Soggetto: device simulation
Soggetto: dimensionality reduction
Soggetto: electron–phonon interaction
Soggetto: fabrication
Soggetto: field effect transistor
Soggetto: gate-all-around
Soggetto: geometric correlations
Soggetto: heat equation
Soggetto: hot electrons
Soggetto: lowest order approximation
Soggetto: material properties
Soggetto: metal gate
Opzioni canale
Mostra copie come risultati di ricerca
Esplora selezioni correlate
Anteprima rapida
Nanowire Field-Effect Transistor (FET)
Carica altri elementi
Documenti analoghi: Nanowire Field-Effect Transistor (FET)
Opzioni canale
Vedi il record
Esplora selezioni correlate
Anteprima rapida
Quantum Transport in Mesoscopic Systems
Anteprima rapida
Miniaturized Transistors
Anteprima rapida
Electron-Phonon Interactions in Low-Dimensional Structures
Anteprima rapida
Silicon-Based Nanomaterials: Technology and Applications
Anteprima rapida
Many Body Quantum Chaos
Anteprima rapida
Miniaturized Transistors, Volume II
Anteprima rapida
Fluctuation Relations and Nonequilibrium Thermodynamics in Classical and Quantum Systems
Anteprima rapida
Quantum Mechanics
Anteprima rapida
Silicon Nanodevices
Anteprima rapida
Silica and Silicon Based Nanostructures
Anteprima rapida
Field-Effect Sensors
Anteprima rapida
Quantum Chromodynamic
Anteprima rapida
IEEE Journal of the Electron Devices Society
Anteprima rapida
Nanoelectronic Materials, Devices and Modeling
Anteprima rapida
Nonequilibrium Phenomena in Strongly Correlated Systems
Anteprima rapida
Dynamics of Open Quantum Systems
Anteprima rapida
Symmetries of Nonlinear PDEs on Metric Graphs and Branched Networks
Anteprima rapida
Organic Semiconductors
Anteprima rapida
Statistical Mechanics and Thermodynamics of Liquids and Crystals
Anteprima rapida
Advanced Nanocomposites for Photonics and Optoelectronics and Mechanics
Anteprima rapida
Superconducting and Graphene-based Devices
Anteprima rapida
Oscillators
Anteprima rapida
Quantum Nonlocality
Anteprima rapida
Wide Bandgap Based Devices
Carica altri elementi
Vedi il record
Prev
Esplora selezioni correlate
Successivo
