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Thema: Elektrischer Durchbruch

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Versetzungen und inverse Pyramidendefekte in AlGaN/GaN-HEMT-Strukturen auf Si und deren Einfluss auf Material- und Bauelementeigenschaften

Thema: Galliumnitrid

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Versetzungen und inverse Pyramidendefekte in AlGaN/GaN-HEMT-Strukturen auf Si und deren Einfluss auf Material- und Bauelementeigenschaften

Verfasser: Besendörfer, Sven

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Versetzungen und inverse Pyramidendefekte in AlGaN/GaN-HEMT-Strukturen auf Si und deren Einfluss auf Material- und Bauelementeigenschaften

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