Versetzungen und inverse Pyramidendefekte in AlGaN/GaN-HEMT-Strukturen auf Si und deren Einfluss auf Material- und Bauelementeigenschaften

Das Materialsystem GaN auf Si verspricht die Verknüpfung der Vorteile eines Wide Bandgap Halbleiters mit den niedrigen Herstellungskosten von Si. So können High Electron Mobility Transistoren zum Beispiel auf Basis einer AlGaN/GaN-Heterostruktur als Ausgangspunkt kosteneffektiver und zugleich sehr e...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակ:	Besendörfer, Sven
Ձևաչափ:	Online
Լեզու:	գերմաներեն
Հրապարակվել է:	FAU University Press 2025
Խորագրեր:	Schottky-Diode Versetzung HEMT Leckstrom Galliumnitrid Rasterkraftmikroskopie Materialcharakterisierung Elektrischer Durchbruch Korrelation thema EDItEUR::T Technology, Engineering, Agriculture, Industrial processes::TG Mechanical engineering and materials::TGM Materials science::TGMM Engineering applications of electronic, magnetic, optical materials thema EDItEUR::P Mathematics and Science::PH Physics::PHF Materials / States of matter::PHFC Condensed matter physics (liquid state and solid state physics) thema EDItEUR::T Technology, Engineering, Agriculture, Industrial processes::TB Technology: general issues::TBM Instruments and instrumentation thema EDItEUR::T Technology, Engineering, Agriculture, Industrial processes::TB Technology: general issues::TBN Nanotechnology thema EDItEUR::T Technology, Engineering, Agriculture, Industrial processes::TJ Electronics and communications engineering::TJF Electronics engineering::TJFD Electronic devices and materials
Առցանց հասանելիություն:	ONIX_20250828T094736_9783961475452_8
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!