Korrelation von Materialqualität und Ausfallmechanismen leistungselektronischer SiC-Bauelemente

Ziel dieser Arbeit war es, eine Korrelation der Siliciumcarbid (SiC) Materialqualität mit Ausfallmechanismen leistungselektronischer 4H-SiC Trench-MOSFET Bauelemente herzustellen. Dafür wurden homo-epitaktische, n-leitende SiC-Schichten abgeschieden. Diese Schichten wurden anschließend mit konfokale...

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Dades bibliogràfiques

Autor principal:	Baierhofer, Daniel
Format:	Online
Idioma:	alemany
Publicat:	FAU University Press 2025
Matèries:	Siliciumcarbid Halbleitertechnologie Materialcharakterisierung Photolumineszenz Homoepitaxie Elektronisches Bauelement Defekt thema EDItEUR::T Technology, Engineering, Agriculture, Industrial processes::TH Energy technology and engineering::THR Electrical engineering thema EDItEUR::T Technology, Engineering, Agriculture, Industrial processes::TJ Electronics and communications engineering::TJF Electronics engineering::TJFC Electronics: circuits and components
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