Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich
The aim of this work is the design of monolithic integrated power amplifiers for frequencies from 200 to 250 GHz and beyond. For this, reliable and flexible transmission line and transistor models are required. The models are created and their accuracy is verified up to 325 GHz. An innovative couple...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակ: | |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Online |
| Լեզու: | գերմաներեն |
| Հրապարակվել է: |
KIT Scientific Publishing
2021
|
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | 34538 |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
Եղիր առաջինը, ով թողնում է մեկնաբանություն!