AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications

This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches o...

সম্পূর্ণ বিবরণ

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন

প্রধান লেখক:	Kühn, Jutta
বিন্যাস:	Online
ভাষা:	ইংরেজি
প্রকাশিত:	KIT Scientific Publishing 2021
বিষয়গুলি:	T1-995 MMIC design power amplifier AlGaN/GaN HEMT X-band power-added efficiency thema EDItEUR::T Technology, Engineering, Agriculture, Industrial processes::TB Technology: general issues
অনলাইন ব্যবহার করুন:	35656
ট্যাগগুলো:	ট্যাগ যুক্ত করুন কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!